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Samsung MZ-V9P2T0BW CARACTERÍSTICASFactor de forma de disco SSD: M.2SDD, capacidad: 2 TBInterfaz: PCI Express 4.0Tipo de memoria: V-NAND MLCNVMe: SiComponente para: PCEncriptación de hardware: SiVersión NVMe: 2.0Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AESVelocidad de lectura: 7450 MB/sVelocidad de escritura: 6900 MB/sLectura aleatoria (4KB): 1400000 IOPSEscritura aleatoria (4KB): 1550000 IOPSCarriles datos de interfaz PCI Express: x4Función DevSleep: SiSoporte S.M.A.R.T.: SiSoporte TRIM: SiTiempo medio entre fallos: 1500000 hFunciones de protección: Resistente al calorCONTROL DE ENERGÍAVoltaje de operación: 3,3 VConsumo de energía (promedio): 5,5 WConsumo de energía (espera): 0,055 WCONDICIONES AMBIENTALESIntervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °CMáxima temperatura: 70 °CGolpes en funcionamiento: 1500 GPESO Y DIMENSIONESAncho: 80 mmProfundidad: 2,3 mmAltura: 22 mmPeso: 9 gEMPAQUETADOTipo de embalaje: Caja

código fabricante: MZ-V9P2T0BW código paratupc.es: 2287281

DISCOS SÓLIDOS INTERNOS

SSD SAMSUNG M.2 2TB PCIE4.0 990 PRO

MZ-V9P2T0BW

CARACTERÍSTICAS
Factor de forma de disco SSD: M.2
SDD, capacidad: 2 TB
Interfaz: PCI Express 4.0
Tipo de memoria: V-NAND MLC
NVMe: Si
Componente para: PC
Encriptación de hardware: Si
Versión NVMe: 2.0
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
Velocidad de lectura: 7450 MB/s
Velocidad de escritura: 6900 MB/s
Lectura aleatoria (4KB): 1400000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB): 1550000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
Función DevSleep: Si
Soporte S.M.A.R.T.: Si
Soporte TRIM: Si
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Funciones de protección: Resistente al calor

CONTROL DE ENERGÍA
Voltaje de operación: 3,3 V
Consumo de energía (promedio): 5,5 W
Consumo de energía (espera): 0,055 W

CONDICIONES AMBIENTALES
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
Máxima temperatura: 70 °C
Golpes en funcionamiento: 1500 G

PESO Y DIMENSIONES
Ancho: 80 mm
Profundidad: 2,3 mm
Altura: 22 mm
Peso: 9 g

EMPAQUETADO
Tipo de embalaje: Caja

169,25 € I.V.A. Incluido.

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